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本发明涉及半导体器件。所述半导体器件包括：形成在衬底上的高电阻层，该高电阻层利用掺杂有杂质元素的半导体材料形成，该杂质元素使半导体材料变为高电阻的；形成在高电阻层上的多层中间层；在多层中间层上利用半导体材料形成的电子传输层；以及在电子传输层...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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