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本发明公开了一种RF?LDMOS器件，在P外延的右部形成有一N型漏端轻掺杂区，N型漏端轻掺杂区左侧的P外延上方形成有栅氧、多晶硅栅；法拉第盾为单层金属层，该单层金属层包括多晶硅部、漂移部、竖直部，竖直部在多晶硅栅右侧，竖直部上端同多晶硅部右...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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