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本发明公开了一种超级结结构,其p型立柱和n型立柱都呈现非均匀的杂质分布方式。其中n型立柱的杂质分布在纵向上是不均匀的,p型立柱的杂质分布在纵向和横向上都采用两种或更多的掺杂浓度。最终保证接近于n型重掺杂衬底区域中,p型立柱中的p型杂质总量低...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种超级结结构,其p型立柱和n型立柱都呈现非均匀的杂质分布方式。其中n型立柱的杂质分布在纵向上是不均匀的,p型立柱的杂质分布在纵向和横向上都采用两种或更多的掺杂浓度。最终保证接近于n型重掺杂衬底区域中,p型立柱中的p型杂质总量低...