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本发明公开了一种实现少子存储层沟槽型IGBT的工艺方法，包括：1）在N型硅片上淀积第一硬掩膜，定义出浅沟槽的图案，刻蚀打开第一硬掩膜；2）形成浅沟槽；3）形成N型少子存储层区；4）去除第一硬掩膜；5）打开第二硬掩膜；6）形成深沟槽，去除第二...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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