温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种制作无阻挡层的高压器件的零层光刻标记的方法，包括以下步骤：第一步，刻蚀出零层光刻标记沟槽；第二步，淀积一层介质层，并且去除零层光刻标记沟槽以外区域的介质层；第三步，刻蚀出深沟槽；第四步，在硅衬底上选择性生长一层外延层；第五步...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。