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本发明公开了一种沟槽栅的形成方法，包括步骤：在半导体衬底上形成第一介质层。形成多晶硅层。形成第二介质层。进行光刻刻蚀在沟槽栅区域形成多晶硅栅。进行多晶硅退火。淀积第三介质层。对第三介质层进行选择性刻蚀。进行选择性外延生长，在沟槽栅区域外的半...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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