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本发明公开了一种成长低应力IGBT沟槽型栅极的方法，第一步，在沟槽内和沟槽两侧的硅片上端面上成长一层沟槽栅极氧化层，在该沟槽栅极氧化层上沉积一层较薄的多晶硅层，并保证沟槽还有很大的空间没有填充，之后进行多晶硅部分回刻，打开沟槽开口；第二步，...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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