温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaN薄膜，其包括Si衬底层、生长在Si衬底层上的Al2O3保护层、生长在Al2O3保护层上的GaN薄膜层。本发明的生长在Si衬底上的GaN薄膜的制备方法包括选取Si衬底；选取Si衬底的（111）晶面镀上一...
该专利属于广州市众拓光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州市众拓光电科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。