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本发明公开了沟槽形半导体结构的形成方法，本发明利用在多晶硅或非晶硅中掺入C填充沟槽，或者利用多晶SiC或非晶SiC以代替多晶硅或非晶硅填充沟槽，可以降低器件的应力，从而防止由于多晶或非晶硅的应力导致的硅内部的缺陷，可以获得低应力低缺陷密度的...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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