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本发明公开了一种改善硅片翘曲度的沟槽制造方法，包括如下步骤：1.1在硅片划片槽中布出一定图形、一定面积的划片槽区沟槽（B）；所述划片槽区沟槽（B）的图形是n次旋转对称的图形；1.2对划片槽区沟槽（B）进行介质填充；划片槽区沟槽（B）中所填充...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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