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一种半导体刻蚀装置及半导体刻蚀方法，所述半导体刻蚀装置包括：反应腔，所述反应腔内具有承片台，用于放置待刻蚀基片；供气源，用于向所述反应腔内通入气体；等离子体射频功率源，用于将反应腔内的气体等离子体化；偏置射频功率源，用于在待刻蚀基片表面形成...
该专利属于中微半导体设备（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）有限公司授权不得商用。

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