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本发明涉及纳米结构的制备方法，具体为一种基于静电场自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法，解决了现有有序低维纳米结构只能小面积制造、成本高、污染严重且与传统的MEMS加工工艺兼容性差的问题。基于静电场自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法，包括...
该专利属于中北大学所有，仅供学习研究参考，未经过中北大学授权不得商用。

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