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本发明公开了一种具有纳米结构表面的硅材料及其制作方法。该硅材料包括：具有一定厚度的硅片；以及刻蚀该硅片表面而形成的柱状硅纳米结构。该方法包括：在硅片表面进行真空氯化铯镀膜，并利用氯化铯纳米岛光刻技术在硅片表面形成氯化铯纳米岛结构；利用反应离...
该专利属于中国科学院高能物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院高能物理研究所授权不得商用。

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