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本发明一般而言涉及用于制造多层式晶体结构的方法。所述方法包括将离子注入到供体结构中，将经注入的供体结构接合到第二结构以形成接合结构，劈裂所述接合结构，以及从完成的多层式晶体结构去除所述供体结构的任何残留部分。...
该专利属于MEMC电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过MEMC电子材料有限公司授权不得商用。

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