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一种极片压实密度高的钴酸锂的制备方法技术
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文档序号:8535306
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本发明涉及一种极片压实密度高的钴酸锂的制备方法。其特点是,包括如下步骤:(1)将电池级碳酸锂、粒度为2.5~5μm的四氧化三钴,以及掺杂原料氧化镁、氧化铝、氧化钛或氧化锆,进行原材料称量;对混合好的生料,进行一次烧结;(2)将电池级碳酸锂、...
该专利属于彩虹集团电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过彩虹集团电子股份有限公司授权不得商用。
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