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一种制备铜铟镓硒光吸收层的装置，包括真空系统和衬底传动系统，由真空系统维持真空的进样室、镀膜室及出样室；衬底传动系统包括衬底传动装置和衬底装载装置；镀膜室包括第一镀膜室，用于在衬底上沉积铟、镓和硒，并维持衬底温度在350~400℃；第二镀膜...
该专利属于深圳先进技术研究院;香港中文大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳先进技术研究院;香港中文大学授权不得商用。

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