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本发明提供一种IGBT的集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的N+型缓冲层和P+型集电极层，所述N+型缓冲层的表面包括阵列式的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部；P+型集电极层位于N+型缓冲层的岛状凸起部以及岛状凸起部...该专利属于江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏物联网研究发展中心;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司授权不得商用。