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一种无snapback效应的逆导型绝缘栅双极晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规RC-IGBT的在N集电区（9）和N缓冲区（8）之间引入一个P浮空区（7），以消除其snapback效应，降低器件的关断损耗。新结构减小了N集电区（...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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