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本发明公开了一种CMOS图像传感器制造方法，包括在衬底上形成MOS晶体管区及光电二极管区；在MOS晶体管区上方形成金属互连结构，金属互连结构形成于互连介质层中；淀积并刻蚀微透镜介质层以形成位于光电二极管区上方的内嵌式微透镜；在金属互连结构上...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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