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本发明提供一种处理无定形碳层的方法，所述方法包括对形成的无定形碳层进行紫外线处理；其中，在300-550℃的温度条件下、氦气(He)环境中，进行所述紫外线处理。本发明还提供一种高厚度无定形碳层的形成方法，以及利用上述无定形碳层制作半导体器件...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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