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本发明涉及一种点滴式硅片边缘二氧化硅的去除方法。本方法采用点滴式去边机加工，其步骤是：1.上料机械手将硅片放在硅片旋转定位台上定位；2.上料机械手将定位好的硅片放到蚀刻工位的硅片旋转工位上进行旋转固定；3.蚀刻工位自动旋转，通过滴管将腐蚀液...该专利属于天津中环领先材料技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津中环领先材料技术有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种点滴式硅片边缘二氧化硅的去除方法。本方法采用点滴式去边机加工，其步骤是：1.上料机械手将硅片放在硅片旋转定位台上定位；2.上料机械手将定位好的硅片放到蚀刻工位的硅片旋转工位上进行旋转固定；3.蚀刻工位自动旋转，通过滴管将腐蚀液...