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本发明涉及晶体硅太阳电池去金属离子清洗技术领域，尤其是一种去除晶体硅片金属离子污染的清洗液及其清洗工艺，由螯合剂1.0×10-5mol/L-1.0×10-3mol/L，使清洗液pH值范围在2-4的酸，及去离子水组成，第一步：使用HF溶液、H...
该专利属于常州比太科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过常州比太科技有限公司授权不得商用。

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