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公开具有波长变换层的发光二极管芯片、制造此的方法以及具备此的封装件。根据一形态，所述发光二极管芯片，包括：基板；半导体层叠结构体，该半导体层叠结构体为位于所述基板上面的氮化镓系化合物半导体层叠结构，包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电...
该专利属于首尔半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过首尔半导体株式会社授权不得商用。

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