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提供了一种改善铜（Cu）填充过孔的导电性的技术。在一方面，提供一种制造Cu填充过孔的方法。该方法包含下列步骤。在电介质中蚀刻过孔。该过孔由扩散阻挡层加衬。薄钌(Ru)层被保形地沉积到该扩散阻挡层上。薄Cu晶种层被沉积在该Ru层上。进行第一退...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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