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本发明涉及用于自其上具有等离子体蚀刻后残余物的微电子器件清洁该残余物的清洁组合物及方法。该组合物实现包括含钛、含铜、含钨、和/或含钴蚀刻后残余物的残余材料自微电子器件的高度有效清洁，同时不会损坏层间介电质、金属互连材料、和/或覆盖层。...
该专利属于高级技术材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过高级技术材料公司授权不得商用。

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