下载非易失性半导体存储装置及其读出方法的技术资料

文档序号:8494066

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本发明提供一种交叉点型非易失性存储装置,能够抑制由于潜行电流而引起的存储单元中包含的存储元件的电阻值的检测灵敏度低下。交叉点型非易失性存储装置具有:多个位线,与多个字线垂直;由存储单元构成的交叉点单元阵列(1),根据在其立体交差点配置的电信...
该专利属于松下电器产业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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