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本发明提供一种基于SiC衬底的倒装激光器芯片及其制作方法。该SiC衬底倒装激光器芯片制作包括一常规激光器芯片结构，从下到上依次包括：衬底、缓冲层、N限制层、有源区、P限制层、P型欧姆接触层、电流阻挡层、金属欧姆接触层；包括一SiC衬底，衬底...
该专利属于山东浪潮华光光电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子有限公司授权不得商用。

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