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具有改进的隧穿势垒的磁隧道结。本发明涉及一种制造适合于磁随机存取存储器(MRAM)的磁隧道结的方法，该磁隧道结包括第一铁磁层，隧穿势垒层以及第二铁磁层，该方法包括：形成第一铁磁层；形成隧穿势垒层；以及形成第二铁磁层；其中所述形成隧穿势垒层包...
该专利属于克罗科斯科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过克罗科斯科技公司授权不得商用。

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