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本发明提供一种制备阵列高压LED的纳米尺寸高深宽比有序图形衬底的方法，通过一种与nanoimprint?lithography兼容的金属层剥离工艺，在GaN基底表面形成一种具有高深宽比、并有序排列的纳米金属锥-柱掩膜，再通过感应耦合等离子体...
该专利属于张庆所有，仅供学习研究参考，未经过张庆授权不得商用。

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