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半导体装置（100）具有SiC（碳化硅）制成的半导体本体（101）以及场效应晶体管。场效应晶体管具有形成在SiC制成的半导体本体（101）内的漂移区（102）以及半导体本体（101）上的多晶硅层（103），其中，多晶硅层（103）具有10n...
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