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本发明公开了一种超级结器件，电流流动区的所有P型薄层都不和N+硅基片接触，且电流流动区的所有P型薄层的底部和N+硅基片表面之间的距离都大于N型硅外延层和N+硅基片之间的过渡区的厚度。本发明还公开了一种超级结器件的制造方法。本发明能提高器件的...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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