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本发明提供一种PMOS晶体管结构及其制造方法，先通过在有源区的沟道区域形成埋置碳硅层，增大了沟道区域的应力，提高了PMOS晶体管载流子迁移率；再通过在栅极结构两侧的有源区中形成埋置锗硅层，即形成了具有埋置锗硅层的源漏区，进一步地增大了沟道区...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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