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本发明涉及入射电容式传感器，公开了用于测量辐射的电容式传感器器件。所述器件包括两个传感器区域（108，109）以及顶板结构（203）。所述传感器区域具有当辐射入射到其时产生电子-空穴对的材料。分离区域位于所述两个传感器区域之间。传感器区域与...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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