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本实用新型公开了一种半鳍式FET半导体器件。根据一个实施方式，半鳍式FET半导体器件包括形成于半导体主体上方的栅极结构。半导体主体包括由延伸超过栅极结构第一侧的多个鳍构成的源极区以及与和栅极区的与多个鳍相对的第二侧相邻的连续漏极区。连续漏极...
该专利属于美国博通公司所有，仅供学习研究参考，未经过美国博通公司授权不得商用。

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