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薄膜晶体管(10,10’),其包括栅电极(14)、布置在该栅电极(14)上的栅电介质(16)、通道层(18)和钝化层(24)。该通道层(18)具有第一表面(SF)和相对的第二表面(SB),其中该第一表面(SF)布置在栅电介质(16)的至少一...该专利属于惠普发展公司,有限责任合伙企业所有,仅供学习研究参考,未经过惠普发展公司,有限责任合伙企业授权不得商用。
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薄膜晶体管(10,10’),其包括栅电极(14)、布置在该栅电极(14)上的栅电介质(16)、通道层(18)和钝化层(24)。该通道层(18)具有第一表面(SF)和相对的第二表面(SB),其中该第一表面(SF)布置在栅电介质(16)的至少一...