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一种制备存储器器件的方法，包括形成第一导电电极（28），在该第一导电电极上形成绝缘结构（13），在该绝缘结构的侧壁上形成电阻率切换元件（14），在该电阻率切换元件上形成第二导电电极（26），以及在该第一导电电极和该第二导电电极之间形成与该电...
该专利属于桑迪士克3D公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克3D公司授权不得商用。

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