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本发明涉及一种GaAs体系四结太阳能电池的制备方法，其特点是：采用MOCVD在Ge衬底上面依次生长第一结Ge电池、成核层、缓冲层、第一隧道结、第二结GaInAs电池、第二隧道结、第三结AlxGa1-xAs电池、第三隧道结、第四结GaInP2...该专利属于天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所授权不得商用。