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本发明涉及一种硅基光电探测器及制备方法和用途，该探测器由下至上为Si基体，SiO2层，Au薄膜电极，SiO2层为Si基体表面热氧化得到，Au膜为真空溅射在SiO2层上，导线与Au电极通过银浆粘结制成，其中Si片厚度为150-675，SiO2...
该专利属于中国科学院新疆理化技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院新疆理化技术研究所授权不得商用。

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