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本申请公开了一种三结级联太阳能电池，包括底层的Ge电池、中间层的InGaAs电池以及顶层的（Al）GaInP电池，所述中间层的InGaAs电池内嵌有In（Ga）As量子点。本发明还公开了一种三结级联太阳能电池的制作方法。本发明在传统晶格匹配...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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