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本发明提供一种肖特基二极管及制作方法，本发明所述肖特基二极管及制作方法通过设置第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区均匀分布在所述势垒区的内部，所述第二掺杂区形成于所述第一掺杂区和所述外延层表面之间且每一所述第二掺杂区与所述第一掺杂区一一对...该专利属于杭州士兰集成电路有限公司;成都士兰半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰集成电路有限公司;成都士兰半导体制造有限公司授权不得商用。