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一种独立栅控制的无结纳米线场效应晶体管制造技术
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文档序号:8454107
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本发明涉及一种独立栅控制的无结纳米线场效应晶体管,由控制栅电极(7)、调节栅电极(5)、源区(1)、漏区(3)、沟道区(2)、控制栅介质层(6)和调节栅介质层(4)组成,成轴对称:调节栅电极位于中心;沟道区及其两侧的源区和漏区与调节栅电极通...
该专利属于北京大学深圳研究院所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学深圳研究院授权不得商用。
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