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本发明公开一种提高石墨烯材料质量比电容的方法,在保持石墨烯高比表面积和单层结构的情况下,通过氮原子在石墨烯体内进行替位掺杂,改变石墨烯的电子能带结构,增加电子态密度和载流子浓度,具体步骤为:在对石墨烯活化处理的同时进行高温还原反应,一步完成...该专利属于常州第六元素材料科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过常州第六元素材料科技股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种提高石墨烯材料质量比电容的方法,在保持石墨烯高比表面积和单层结构的情况下,通过氮原子在石墨烯体内进行替位掺杂,改变石墨烯的电子能带结构,增加电子态密度和载流子浓度,具体步骤为:在对石墨烯活化处理的同时进行高温还原反应,一步完成...