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本发明公开了一种应用于半导体集成电路领域，带电流补偿的高压稳压电路，包括：一外部电源VDD连接NMOS管M4漏极，通过电阻R1连接PMOS管M1源极，通过电阻R2连接NMOS管M6漏极；PMOS管M1栅极连接其漏极，其漏极连接NMOS管M2...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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