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本发明涉及一种低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料及其制备方法和应用，所述低频率常数改性偏铌酸铅压电陶瓷材料的化学组成为：xPb1-m-n(Lam·Sr)Nb2O6+y(y1PbTiO3+y2BiScO3)+pwt%CeO2+qwt%SiO2...
该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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