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一种反接保护升压触发电路制造技术
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文档序号:8442891
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本实用新型公开了一种反接保护升压触发电路,主要由相互串接的分压电阻R1和储能电容C1,以及一端连接在分压电阻R1和储能电容C1之间的双向触发二极管DB和二极管D3组成,其特征在于:在分压电阻R1的输入端与双向触发二极管DB的输出端之间还连接...
该专利属于成都方拓科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都方拓科技有限公司授权不得商用。
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