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本发明提供了一种具有T型鳍部的鳍式场效应管的形成方法，包括：提供基底；依次形成位于所述基底表面的第一硅薄膜、硬掩膜层和具有第一开口的图案层；形成覆盖所述第一开口的侧壁的侧墙；去除所述图案层；以所述侧墙为掩膜刻蚀硬掩膜层形成第一结构，再去除所...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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