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本发明揭示了一种高压半导体功率器件中的保护环结构以及制造方法。该保护环结构包括间断的氧化层、N型单晶硅衬底、金属场板、器件区、多个P+型注入扩散环和等位环，还包括零偏压下完全耗尽的N型注入扩散环和零偏压下完全耗尽的P型注入扩散环，N型注入扩...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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