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制造硅基增强红外吸收光电探测器的方法及其光电探测器技术
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文档序号:8413999
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本发明实施例公开了一种制造硅基增强红外吸收光电探测器的方法,包括:提供硅衬底材料;在硅衬底材料上形成周期性槽状结构,获得红外吸收增强层;在红外吸收增强层上形成势垒增强层;在势垒增强层上形成电极层。本发明的实施例中,红外吸收增强层包括周期性槽...
该专利属于电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学授权不得商用。
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