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一种形成栅极的方法、平坦化层间介质层的方法，所述平坦化层间介质层的方法包括：提供基底；在所述基底上形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅极和侧墙，并在所述伪栅极上形成被氧化的多晶硅层；形成层间介质层，覆盖所述基底、伪栅极结构以及被氧化的多晶...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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