温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种重掺磷单晶硅晶圆片高致密性二氧化硅背封工艺。其步骤是：一、采用背封机，利用常压化学气相沉积法制备二氧化硅薄膜；二、利用半导体制造中的热退火制程对带有二氧化硅的晶圆片进行退火；三、最后利用划磨式或手贴膜式去除氧化膜的方法去除晶圆...
该专利属于天津中环领先材料技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津中环领先材料技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。